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器五兴业电源模块电路设计主要是哪些?

    北京器五兴业微电子技术有限公司是专业化的电源生产及研制单位,在这里分析一下电源模块的电路设计,主要是分为双极型功率开关管和采用功率MOSFET(V3)。
    1、电源模块采用双极型功率开关管(VT)
   (1)选择双极型开关管VT,要能承受较高的电压并提供足够的电流,其电流放大系数要足够高。
   (2)选择R14以提供足够大的基极电流,确保能够开启DC/DC电源变换器。
   (3)选择R16(典型值为10~20Ω)以限制在开关过程中产生的尖峰电流。
   (4)推荐采用Fairchild公司生产的TIP29C型双极型中功率开关管,其主要参数如下:集电极—发射极击穿电压UU(BR)CEO=100V,基极最大允许电流IBM=0.4A,最大集电极电流ICM=1A,集电极最大功耗PCM=30W,hFE=75倍,fT=3.0MHz。
    2、采用功率MOSFET(V3)
   (1)选择R14以限制稳压管VDZ4和VDZ5的功耗。
   (2)选择R15以确保在输入电压低于28V时能关闭V3。
   (3)选择VDZ4的稳压值以防止在输入电压低于28V时开启V3。
   (4)注意,R14及R15的电阻值还影响到VDZ4的损耗。
   (5)选择VDZ5的稳压值以限制V3的最大栅-源电压(典型值应为15V)。
   (6)推荐采用Philips公司生产的IRF530N型N沟道功率MOSFET。其主要参数如下:漏-源极击穿电压U(BR)DS=100V,最大漏极功耗PDM=79W,漏-源通态电阻RDS(ON)=80mΩ,跨导gFS=11S,导通时间tON=36ns,关断时间tOFF=12ns。

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文章标签:兴业,电源,

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